中关村发展集团战略性投资易美芯光，源网体助力易美芯光建设北方地区最大的高品质高亮度LED产业基地。

Cu-Cu键合界面在亲水官能团的帮助下，荷储化推通过脱水缩合在200℃下实现无空隙界面。为了进一步明确亲水性结构的化学成分，广成通过X射线光电子能谱对Cu和SiO2表面化学状态进行表征。

相比之下，问题仅浸泡NH4OH的Cu表面没有观察到表面氧化或平滑。并存已授权国家发明专利4项（其中一项与华为公司共同申请）。图2Cu/SiO2混合表面活化前后三维形貌如图3所示，源网体通过对活化前后Cu和SiO2表面能进行测试，源网体可以发现经过Ar/O2等离子体→NH4OH两步协同活化能够有效地将Cu和SiO2表面润湿角分别降低至19.6°和2°，证明表面形成了亲水性化学结构。

图3Cu和SiO2表面能变化图4活化前后表面化学结构XPS分析图5Ar/O2→NH4OH获得Cu/SiO2混合键合界面作为一种超高密度集成方案，荷储化推Cu/SiO2混合键合三维芯片堆叠示意图如图5所示，荷储化推通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察键合界面，发现原有Cu-Cu键合界面消失，在多晶Cu薄膜内部和界面外发生了大量的晶粒生长。研究方向主要包括Cu/SiO2混合键合实现以存储为中心的芯片架构，广成晶圆级III-V族化合物半导体低温异质集成等。

参与国家自然科学基金项目2项，问题省自然基金及产学研横向项目6项。

这种共亲水化Cu/SiO2混合键合技术可能为下一代以数据为中心的应用如感知计算、并存人工智能等领域带来了新的可能性。在刚刚结束的杭州第19届亚运会上，源网体中国电竞取得4金1铜的优异成绩，源网体其中《刀塔（DOTA2）》《和平精英亚运版本》《梦三国2》《王者荣耀亚运版本》项目斩获金牌，《英雄联盟》项目获得铜牌。

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